致晟光電在 Thermal EMMI 技術的基礎上，融合了自主研發的 實時瞬態鎖相紅外熱分析技術（RTTLIT），提升了弱信號檢測能力。傳統 Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態缺陷時，容易受到環境熱噪聲干擾，而鎖相技術可以在特定頻率下同步提取信號，將信噪比提升數倍，從而捕捉到更細微的發熱變化。這種技術組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無損檢測優勢，還大幅拓寬了其應用場景——從傳統的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗證。通過這一技術，致晟光電能夠為客戶提供更好、更快速的失效定位方案，減少剖片次數，降低分析成本，并提高產品開發迭代效率。在半導體行業高度集成化趨勢加速、制程工藝持續突破的當下，熱紅外顯微鏡是失效分析領域得力工具。工業檢測熱紅外顯微鏡原理

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發射信號進行失效點定位的先進顯微技術。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級別的紅外信號，并結合光學放大系統實現微米甚至亞微米級的空間分辨率。相比傳統的電子探針或電性測試，Thermal EMMI在非接觸、無損檢測方面有明顯優勢，能夠在器件通電狀態下直接觀測局部發熱熱點或電流泄漏位置。這種技術在先進制程節點（如 5nm、3nm）中尤為關鍵，因為器件結構復雜且供電電壓低，任何細微缺陷都會在熱輻射分布上體現。通過Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區域，大幅減少剖片和反復驗證的時間，為芯片研發和生產帶來高效的故障分析手段。檢測用熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡對比半導體芯片失效分析（EFA）中的熱點定位。

熱紅外顯微鏡作為一種特殊的成像設備，能夠捕捉物體表面因溫度差異產生的紅外輻射，從而生成反映溫度分布的圖像。其原理基于任何物體只要溫度高于零度，就會不斷向外輻射紅外線，且溫度不同，輻射的紅外線波長和強度也存在差異。通過高靈敏度的紅外探測器和精密的光學系統，熱紅外顯微鏡可將這種細微的溫度變化轉化為清晰的圖像，實現對微觀結構的溫度分布監測。在半導體行業中，它能檢測芯片工作時的局部過熱區域，為分析器件功耗和潛在故障提供關鍵數據，是電子器件熱特性研究的重要工具。

熱紅外顯微鏡在材料科學研究中有著廣泛應用。對于新型復合材料，其內部不同組分的導熱性能存在差異，在外界溫度變化或通電工作時，表面溫度分布會呈現不均勻性。熱紅外顯微鏡能以超高的空間分辨率捕捉這種溫度差異，清晰展示材料內部的熱傳導路徑和熱點分布。研究人員通過分析這些圖像，可深入了解材料的熱物理特性，為優化材料配方、改進制備工藝提供依據。比如在研發高導熱散熱材料時，借助熱紅外顯微鏡能直觀觀察不同添加成分對材料散熱性能的影響，加速高性能材料的研發進程。熱紅外顯微鏡儀器內置校準系統，定期校準可確保長期使用中微觀溫度測量結果的準確性。

在半導體芯片的失效分析和可靠性研究中，溫度分布往往是**關鍵的參考參數之一。由于芯片結構高度集成，任何局部的異常發熱都可能導致電性能下降，甚至出現器件擊穿等嚴重問題。傳統的接觸式測溫方法無法滿足高分辨率與非破壞性檢測的需求，而熱紅外顯微鏡憑借其非接觸、實時成像的優勢，為工程師提供了精細的解決方案。通過捕捉芯片表面微小的紅外輻射信號，熱紅外顯微鏡能夠清晰還原器件的熱分布情況，直觀顯示出局部過熱、散熱不均等問題。尤其在先進制程節點下，熱紅外顯微鏡幫助研發團隊快速識別潛在失效點，為工藝優化提供可靠依據。這一技術不僅***提升了檢測效率，也在保障器件長期穩定性和**性方面發揮著重要作用。紅外顯微鏡系統(Thermal Emission microscopy system)，是半導體失效分析和缺陷檢測的常用的三大手段之一。實時成像熱紅外顯微鏡圖像分析

熱紅外顯微鏡范圍：溫度測量范圍廣，可覆蓋 - 200℃至 1500℃，適配低溫超導材料到高溫金屬樣品的檢測。工業檢測熱紅外顯微鏡原理

thermal emmi（熱紅外顯微鏡）是結合了熱成像與光電發射檢測技術的先進設備，它不僅能捕捉半導體器件因缺陷產生的微弱光信號，還能同步記錄缺陷區域的溫度變化，實現光信號與熱信號的協同分析。當半導體器件存在漏電等缺陷時，除了會產生載流子復合發光，往往還會伴隨局部溫度升高，thermal emmi 通過整合兩種檢測方式，可更好地反映缺陷的特性。例如，在檢測功率半導體器件時，它能同時定位漏電產生的微光信號和因漏電導致的局部過熱點，幫助工程師判斷缺陷的類型和嚴重程度，為失效分析提供更豐富的信息。工業檢測熱紅外顯微鏡原理