在材料科學領域，研究人員通常需要了解不同材料在受熱環境下的導熱性能與熱響應特性。傳統的熱分析方法多為宏觀測量，難以揭示微觀層面的溫度變化。而熱紅外顯微鏡通過高分辨率的紅外成像能力，能夠將材料表面的溫度分布清晰呈現出來，從而幫助研究人員深入理解材料的導熱機制和失效模式。例如，在新型復合材料研究中，熱紅外顯微鏡能夠直觀顯示各組分在受熱條件下的熱擴散差異，為材料結構優化提供實驗依據。同時，該設備還能與其他光學顯微技術聯用，形成多維度的檢測體系，使得實驗數據更具完整性。熱紅外顯微鏡不僅在基礎研究中發揮重要作用，也為新型材料的產業化應用提供了強有力的驗證工具，推動了從實驗室到工程應用的快速轉化。熱紅外顯微鏡范圍：空間分辨率可達微米級，能觀測樣品微小區域（如 1μm×1μm）的熱輻射變化。花都區熱紅外顯微鏡

隨著國內半導體產業的快速發展，Thermal EMMI 技術正逐步從依賴進口轉向自主研發。國產 Thermal EMMI 設備不僅在探測靈敏度和分辨率上追平甚至超越部分國際產品，還在適配本土芯片工藝、降低采購和維護成本方面展現出獨特優勢。例如，一些國產廠商針對國內封測企業的需求，對探測器響應波段、樣品臺尺寸、自動化控制系統等進行定制化設計，更好地適應大批量失效分析任務。同時，本土研發團隊能夠快速迭代軟件算法，如引入 AI 圖像識別進行熱點自動標注，減少人工判斷誤差。這不僅提升了檢測效率，也讓 Thermal EMMI 從傳統的“精密實驗室設備”走向生產線質量控制工具，為國產芯片在全球競爭中提供可靠的技術支撐。花都區熱紅外顯微鏡熱紅外顯微鏡成像儀可輸出多種圖像格式，方便與其他分析軟件對接，進行后續數據深度處理。

在微電子、半導體以及材料研究等高精度領域，溫度始終是影響器件性能與壽命的重要因素。隨著芯片工藝向高密度和高功率方向發展，器件內部的熱行為愈發復雜。傳統的熱測試方法由于依賴接觸探測，往往在空間分辨率、靈敏度和操作便捷性方面存在局限，難以滿足對新型芯片與功率器件的精細化熱分析需求。相比之下，熱紅外顯微鏡憑借非接觸測量、高分辨率成像和高靈敏度探測等優勢，為研究人員提供了更加直觀的解決方案。它不僅能夠實時呈現器件在工作狀態下的溫度分布，還可識別局部熱點，幫助分析電路設計缺陷、電流集中及材料老化等潛在問題。作為現代失效分析與微熱檢測的重要工具，熱紅外顯微鏡正逐漸成為科研與產業應用中不可或缺的手段，為提升器件可靠性和延長使用壽命提供了有力支持。

在半導體芯片的研發與生產全流程中，失效分析（FailureAnalysis,FA）是保障產品可靠性與性能的重要環節。芯片內部的微小缺陷，如漏電、短路、靜電損傷等，通常難以通過常規檢測手段識別，但這類缺陷可能導致整個芯片或下游系統失效。為實現對這類微小缺陷的精確定位，蘇州致晟光電科技有限公司研發的ThermalEMMI熱紅外顯微鏡（業界也稱之為熱發射顯微鏡），憑借針對性的技術能力滿足了這一需求，目前已成為半導體工程師開展失效分析工作時不可或缺的設備。
Thermal 熱紅外顯微鏡屬于光學失效定位中的一種，用于捕捉器件中因失效產生的微弱 / 隱性熱信號。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術不僅能夠實現電子器件故障的精確定位，更在性能評估、熱管理優化與可靠性分析等方面展現出獨特價值。通過高分辨率的熱成像手段，工程師可直觀獲取器件內部的熱點分布圖譜，深入分析其熱傳導特性，并據此優化散熱結構設計，有效提升系統的運行穩定性與使用壽命。同時，該技術還能實時監測電路功耗分布及異常發熱區域，構建動態熱特征數據庫，為早期故障預警和預防性維護提供強有力的數據支撐，從源頭上降低潛在失效風險，是實現高性能、高可靠電子系統不可或缺的技術手段之一。紅外顯微鏡系統(Thermal Emission microscopy system)，是半導體失效分析和缺陷檢測的常用的三大手段之一。海珠區熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡能捕捉微觀物體熱輻射信號，為材料熱特性研究提供高分辨率觀測手段。花都區熱紅外顯微鏡

在芯片研發與生產過程中，失效分析（FailureAnalysis,FA）是一項必不可少的環節。從實驗室樣品驗證到客戶現場應用，每一次失效背后，都隱藏著值得警惕的機理與經驗。致晟光電在長期的失效分析工作中，積累了大量案例與經驗，大家可以關注我們官方社交媒體賬號（小紅書、知乎、b站、公眾號、抖音）進行了解。在致晟光電，我們始終認為——真正的可靠性，不是避免失效，而是理解失效、解決失效、再防止復發。正是這種持續復盤與優化的過程，讓我們的失效分析能力不斷進化，也讓更多芯片產品在極端工況下依然穩定運行。花都區熱紅外顯微鏡