面向半導體新材料研發場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩定性成為科研工具。采用石墨與碳化硅復合基材，工作溫度范圍覆蓋 500℃-2000℃，可通過程序設定實現階梯式升溫，升溫速率調節范圍 0.1-10℃/ 分鐘。加熱面配備 24 組測溫點，實時監測溫度分布，數據采樣頻率達 10Hz，支持與實驗室數據系統對接。設備體積緊湊（直徑 30cm），重量* 5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長等多種實驗需求，已服務于中科院半導體所等科研機構。快速交付承諾，標準產品現貨供應，定制產品周期短響應快。四川晶圓加熱盤供應商

針對半導體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質，經電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長期浸泡無腐蝕。加熱盤內置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風險，同時具備 1500V/1min 的電氣強度，使用**可靠。通過底部加熱與側面保溫設計，使溶液溫度均勻性控制在 ±1℃以內，溫度調節范圍覆蓋 25℃至 100℃，滿足濕法刻蝕、清洗等工藝的溫度要求。配備高精度溫度傳感器，實時監測溶液溫度，當溫度超出設定范圍時自動啟動加熱或冷卻調節，確保化學反應平穩進行。設備適配不同規格的濕法工藝槽體，可根據槽體尺寸定制加熱盤形狀與功率，為半導體濕法工藝的穩定性與重復性提供保障。四川半導體加熱盤獨特加熱元件設計，熱效率大幅提升，節能環保同時保證長期穩定運行。

國瑞熱控針對離子注入后雜質***工藝，開發**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導率達 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達 60℃/ 秒，可在幾秒內將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達 40℃/ 秒，減少熱預算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實現晶圓正反面溫度均勻（溫差小于 2℃）。配備紅外高溫計實時監測晶圓表面溫度，測溫精度 ±2℃，通過 PID 控制確保溫度穩定，適配硼、磷等不同雜質的***溫度需求（600℃-1100℃）。與應用材料離子注入機適配，使雜質***率提升至 95% 以上，為半導體器件的電學性能調控提供關鍵支持。

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達 ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設計雙層隔熱結構，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高。配備精細壓力控制模塊，可根據鍵合類型調整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。特殊尺寸功率定制，快速響應需求，量身打造方案。

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導體刻蝕環節的精細溫控設計，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產品采用藍寶石覆層與鋁合金基體復合結構，表面經拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協同適配，通過底部導熱紋路優化，使熱量快速傳導至晶圓背面，溫度響應時間縮短至 10 秒以內。支持溫度階梯式調節功能，可根據刻蝕深度需求設定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場景。設備整體符合半導體潔凈車間 Class 1 標準，拆卸維護無需特殊工具，大幅降低生產線停機時間。密封式設計可選，防潮防塵耐腐蝕，適用復雜環境。四川晶圓加熱盤供應商

以客戶需求為導向，快速響應詢價定制，誠信合作。四川晶圓加熱盤供應商

國瑞熱控半導體測試用加熱盤，專為芯片性能測試環節的溫度環境模擬設計，可精細復現芯片工作時的溫度條件。設備溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達 25℃/ 分鐘和 20℃/ 分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化。加熱盤表面采用柔性導熱墊層，適配不同厚度的測試芯片，確保熱量均勻傳遞至芯片表面，溫度控制精度達 ±0.5℃。配備可編程溫度控制系統，可預設多段溫度曲線，滿足長時間穩定性測試需求。設備運行時無電磁場干擾，避免對測試數據產生影響，同時具備過溫、過流雙重保護功能，為半導體芯片的性能驗證與質量檢測提供專業溫度環境。四川晶圓加熱盤供應商

無錫市國瑞熱控科技有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在江蘇省等地區的電工電氣中始終保持良好的商業**，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，無錫市國瑞熱控科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！