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    江蘇高集成度北斗芯片 創造輝煌 蘇州知碼芯信息科技供應

    2025-10-23 14:29:41

    性能(neng)飛躍一:<450ms極(ji)速(su)牽引,1秒(miao)實(shi)(shi)鎖重(zhong)捕(bu)(bu)信(xin)號(hao)短暫中斷后(hou)的(de)(de)重(zhong)新(xin)定位(wei)速(su)度,是衡量(liang)芯片性能(neng)的(de)(de)關鍵指標(biao)。傳統芯片可能(neng)需要(yao)數(shu)秒(miao)甚(shen)至更長時(shi)間,而這在(zai)高(gao)(gao)速(su)場景下是致命的(de)(de)。知碼芯北斗(dou)芯片實(shi)(shi)現(xian)了(le)里程碑式的(de)(de)突破:冷啟(qi)動牽引時(shi)間小于450毫秒(miao):從無到有,極(ji)速(su)獲取定位(wei)信(xin)息。信(xin)號(hao)重(zhong)捕(bu)(bu)定位(wei)只需1秒(miao):在(zai)隧(sui)道、高(gao)(gao)樓等環(huan)境(jing)導(dao)致信(xin)號(hao)丟失后(hou),芯片能(neng)在(zai)1秒(miao)內完(wan)成(cheng)“實(shi)(shi)鎖重(zhong)捕(bu)(bu)”,迅速(su)恢復高(gao)(gao)精度定位(wei)。這意味著(zhu)您(nin)的(de)(de)設備幾乎(hu)感(gan)覺不到信(xin)號(hao)的(de)(de)中斷,始終在(zai)線,持續為(wei)您(nin)提供可靠的(de)(de)位(wei)置服務。知碼芯北斗(dou)芯片借助自有設計能(neng)力,采用Chiplet(芯粒)技術,實(shi)(shi)現(xian)射頻模(mo)塊(kuai)的(de)(de)超(chao)大規模(mo)集成(cheng)。江蘇(su)高(gao)(gao)集成(cheng)度北斗(dou)芯片

    作為(wei)一款采用(yong)單芯(xin)片GNSSSoC架構的(de)(de)明星產(chan)(chan)品(pin),知(zhi)碼(ma)芯(xin)北(bei)斗(dou)(dou)芯(xin)片天生自(zi)帶強大(da)(da)基因。它打破了(le)(le)單一衛星系統的(de)(de)限制,可(ke)兼容BDS、GPS、Galileo、GLONASS、QZSS、SBAS六大(da)(da)衛星信號系統,無(wu)論身處(chu)城(cheng)市峽谷、偏遠山區(qu)還(huan)是(shi)海洋(yang)空域,都能(neng)精細捕捉信號,實(shi)現全(quan)場景無(wu)死(si)角(jiao)定(ding)位(wei)(wei)。這種多系統融合能(neng)力,讓設(she)備在復雜環境下也(ye)能(neng)保(bao)持穩定(ding)性能(neng),為(wei)各(ge)類智(zhi)能(neng)終端提供可(ke)靠的(de)(de)定(ding)位(wei)(wei)支撐。在封(feng)裝(zhuang)與集(ji)成度(du)上,本款北(bei)斗(dou)(dou)芯(xin)片更是(shi)展(zhan)現了(le)(le)強大(da)(da)的(de)(de)創新實(shi)力。采用(yong)先進的(de)(de)單芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)工藝(yi),將主要(yao)功(gong)能(neng)濃縮于7mmx7mm的(de)(de)LGA-28封(feng)裝(zhuang)之中,小巧(qiao)體積卻蘊藏巨(ju)大(da)(da)能(neng)量。芯(xin)片內部高(gao)(gao)度(du)集(ji)成了(le)(le)GPS/北(bei)斗(dou)(dou)射頻與基頻模塊、0.5ppm高(gao)(gao)精度(du)溫度(du)補償震蕩(dang)器、穩壓器及各(ge)類無(wu)源(yuan)器件,實(shi)現了(le)(le)“一站式(shi)”解(jie)決方案。無(wu)需復雜的(de)(de)外圍電(dian)路(lu)設(she)計,只需搭配(pei)天線和電(dian)源(yuan)即可(ke)快(kuai)速(su)啟動(dong)(dong)工作,大(da)(da)幅降低(di)了(le)(le)終端產(chan)(chan)品(pin)的(de)(de)研發成本與生產(chan)(chan)周期(qi)。江蘇高(gao)(gao)集(ji)成度(du)北(bei)斗(dou)(dou)芯(xin)片這款北(bei)斗(dou)(dou)芯(xin)片定(ding)位(wei)(wei)速(su)度(du)更快(kuai),刷新率高(gao)(gao)達25Hz,解(jie)決了(le)(le)高(gao)(gao)動(dong)(dong)態場景下定(ding)位(wei)(wei) 問(wen)題。

    高動態場(chang)景(jing)的設備(bei)(bei)多(duo)向(xiang)小型(xing)化發展(如(ru)微型(xing)無(wu)人(ren)(ren)機(ji)、穿戴式定(ding)位(wei)器),傳(chuan)統芯片體積(ji)大(da)(多(duo)為 8X8mm 以上),PCB 占用(yong)面積(ji)大(da),難以適(shi)配(pei)。知碼芯北斗芯片采用(yong) 5X5mm 標準(zhun) QFN 封裝(zhuang),大(da)幅(fu)優化集成性。封裝(zhuang)面積(ji)較(jiao)舊版減(jian)少 ,PCB 板(ban)占用(yong)空間更小,可(ke)輕(qing)松嵌入微型(xing)設備(bei)(bei)(如(ru)直(zhi)徑 2cm 的無(wu)人(ren)(ren)機(ji)定(ding)位(wei)模塊、厚度 5mm 的智能手(shou)環);標準(zhun) QFN 封裝(zhuang)支持自動化焊接(jie),且預留屏蔽罩安裝(zhuang)位(wei),加裝(zhuang)屏蔽罩后抗電磁干(gan)擾能力(li)提升,適(shi)配(pei)工(gong)業級高動態場(chang)景(jing)(如(ru)工(gong)廠車間的 AGV 機(ji)器人(ren)(ren),電磁環境復雜(za)),確保定(ding)位(wei)不受干(gan)擾。

    從消(xiao)費(fei)級到工(gong)業級,高動態定(ding)位(wei) “全適配(pei)(pei)”憑借七大升(sheng)級,知碼芯(xin)北斗芯(xin)片(pian)(pian)可(ke)在多個高動態應(ying)(ying)用場(chang)景展(zhan)現(xian)出強勁優(you)勢(shi),成為(wei)推動各(ge)行(xing)業精(jing)確定(ding)位(wei)升(sheng)級的主要(yao)動力。例如智在自(zi)動駕駛(shi)車輛、**等高速(su)(su)場(chang)景中(zhong),芯(xin)片(pian)(pian)需(xu)應(ying)(ying)對時速(su)(su) 300km/h 的高動態運動與復雜路況(kuang),本芯(xin)片(pian)(pian)可(ke)輕松應(ying)(ying)對。工(gong)業級無人機(ji)(如電力巡檢、快遞配(pei)(pei)送)需(xu)在高動態飛行(xing)中(zhong)快速(su)(su)定(ding)位(wei)、頻(pin)繁啟停,知碼芯(xin)北斗芯(xin)片(pian)(pian)可(ke)快速(su)(su)響應(ying)(ying),不誤工(gong)。野外勘(kan)探、應(ying)(ying)急(ji)救援等場(chang)景,設備常面臨弱(ruo)信號、頻(pin)繁開關機(ji)、小型(xing)化需(xu)求(qiu)。本芯(xin)片(pian)(pian)能(neng)保障在極端環境 “不掉線”。智能(neng)手(shou)機(ji)、智能(neng)手(shou)表等消(xiao)費(fei)設備,此芯(xin)片(pian)(pian)也能(neng)發揮定(ding)位(wei)速(su)(su)度、續航(hang)與體(ti)積小的優(you)勢(shi)。

    知(zhi)碼芯北斗芯片,低功耗高性能之(zhi)選。

    知碼芯(xin)北斗(dou)(dou)芯(xin)片(pian)采用(yong)了(le)28nmCMOS工(gong)藝(yi)。在此工(gong)藝(yi)中,High-K材(cai)料和GateLast處理(li)技術的(de)應用(yong),更是為(wei)(wei)降(jiang)低功(gong)耗立(li)下了(le)汗馬功(gong)勞。High-K材(cai)料,即高介電(dian)常(chang)數(shu)材(cai)料,其介電(dian)常(chang)數(shu)比(bi)傳統的(de)二氧化硅(gui)(SiO2)高數(shu)倍(bei)甚至十幾倍(bei)。當芯(xin)片(pian)采用(yong)High-K材(cai)料作為(wei)(wei)柵介質層時(shi),就好(hao)比(bi)給電(dian)路(lu)中的(de)“蓄水(shui)池(chi)”(電(dian)容)換上了(le)更加(jia)厚(hou)實的(de)內壁(bi),不容易“滲漏”。這樣一(yi)來,在相同(tong)的(de)電(dian)容值(zhi)下,能夠有(you)效減少柵極(ji)漏電(dian)流,降(jiang)低芯(xin)片(pian)的(de)靜態(tai)功(gong)耗。同(tong)時(shi),由于電(dian)容充放電(dian)效率更高,芯(xin)片(pian)數(shu)據讀寫速度也得到(dao)提升,這在一(yi)定(ding)程度上也有(you)助于降(jiang)低動態(tai)功(gong)耗。而GateLast處理(li)技術,則是在源(yuan)漏區離子注(zhu)入(ru)和高溫(wen)退(tui)火步驟完成之后,再進行柵極(ji)的(de)制作。這種工(gong)藝(yi)順序可以避免金屬柵經歷源(yuan)漏退(tui)火高溫(wen),從而保(bao)(bao)護金屬柵的(de)功(gong)函數(shu)和HK層的(de)質量(liang),進一(yi)步降(jiang)低了(le)芯(xin)片(pian)的(de)功(gong)耗。同(tong)時(shi),它還(huan)有(you)助于控(kong)制短通道效應,使得晶體管在尺寸(cun)縮(suo)小的(de)情況下,依然(ran)能夠保(bao)(bao)持良(liang)好(hao)的(de)性能。 知碼芯(xin)北斗(dou)(dou)芯(xin)片(pian)升級(ji)的(de)4模(mo)聯合定(ding)位(北斗(dou)(dou)+GPS+GLONASS+Galileo),服(fu)務全球(qiu)客(ke)戶。

    秒(miao)級冷(leng)啟動:達到了3-5 秒(miao),緊急場景 “不延(yan)遲”。

    冷(leng)啟(qi)動速度是高(gao)動態緊急場(chang)景的(de)關鍵指標(如應急救援(yuan)無人(ren)機起飛后需(xu)立即定位),新(xin)版知碼(ma)芯(xin)北斗(dou)芯(xin)片優化信號捕(bu)獲(huo)算法,冷(leng)啟(qi)動速度大幅(fu)提(ti)升(sheng)。在星況良(liang)好的(de)開(kai)闊環(huan)(huan)境(jing)下(xia),冷(leng)啟(qi)動定位時(shi)間縮短(duan)至 20 秒以(yi)內,理想狀態下(xia)只需(xu) 3-5 秒,較舊版提(ti)升(sheng) 80% 以(yi)上,設備開(kai)機即可快速進(jin)入定位狀態,無需(xu) “等待開(kai)機”;即使在弱信號環(huan)(huan)境(jing)(如城市高(gao)樓間),冷(leng)啟(qi)動也能在 30 秒內完(wan)成(cheng)定位,通過多星座頻點協同(tong)捕(bu)獲(huo),避免傳統(tong)芯(xin)片 “搜(sou)星難、啟(qi)動慢” 的(de)問題(ti),適配高(gao)動態場(chang)景的(de)即時(shi)性(xing)需(xu)求。

    RAM 轉(zhuan) FLASH 功能(neng)(neng):無(wu)需(xu)(xu)(xu)單獨提(ti)(ti)星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li),操作(zuo) “更(geng)(geng)便捷”。傳統芯(xin)片(pian)需(xu)(xu)(xu)單獨提(ti)(ti)取衛星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li)數(shu)據(ju)(ju)(需(xu)(xu)(xu)連接服(fu)務器(qi)或手動(dong)(dong)導入),高動(dong)(dong)態場景下(如(ru)野外(wai)勘探(tan)設備移(yi)動(dong)(dong)中),星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li)獲取難(nan)、更(geng)(geng)新(xin)(xin)慢,影響(xiang)定位效率。知碼(ma)芯(xin)北斗芯(xin)片(pian)新(xin)(xin)增 RAM 轉(zhuan) FLASH 功能(neng)(neng),簡化操作(zuo)流程:芯(xin)片(pian)可(ke)自動(dong)(dong)將(jiang)接收到(dao)的衛星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li)數(shu)據(ju)(ju)從 RAM(隨機存(cun)(cun)儲器(qi))寫入 FLASH(閃存(cun)(cun)),無(wu)需(xu)(xu)(xu)外(wai)部設備單獨提(ti)(ti)取或更(geng)(geng)新(xin)(xin)星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li),設備斷(duan)電(dian)后星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li)數(shu)據(ju)(ju)仍能(neng)(neng)保存(cun)(cun);下次開機時,芯(xin)片(pian)直接從 FLASH 讀取星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li),跳過星(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)歷(li)(li)下載環節,啟動(dong)(dong)速(su)度再提(ti)(ti)速(su) 30%,尤其(qi)適合野外(wai)高動(dong)(dong)態作(zuo)業(如(ru)地質勘探(tan)車(che)、森林(lin)防火巡邏車(che)),無(wu)需(xu)(xu)(xu)依賴網絡,即可(ke)快速(su)定位。 從信號捕獲到(dao)集成(cheng),知碼(ma)芯(xin)北斗芯(xin)片(pian)極(ji)大(da)強(qiang)化了高動(dong)(dong)態性能(neng)(neng)。浙江(jiang)高靈敏度北斗芯(xin)片(pian)

    這款北斗(dou)芯片(pian)(pian)兼容性強(qiang),客(ke)戶(hu)可根(gen)據需求方便地對芯片(pian)(pian)進行(xing)再配(pei)置。江蘇高集(ji)成度(du)北斗(dou)芯片(pian)(pian)

    本(ben)北斗(dou)芯(xin)片(pian)為(wei)了(le)(le)實現(xian)低功(gong)(gong)耗(hao)(hao)高(gao)速(su)計算的(de)(de)(de)(de)采(cai)用(yong)28nmCMOS工(gong)(gong)(gong)藝(yi)。?28nmCMOS工(gong)(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)特(te)點(dian)主(zhu)要(yao)(yao)(yao)包括高(gao)性能(neng)(neng)(neng)(neng)、低功(gong)(gong)耗(hao)(hao)和(he)成本(ben)效益(yi)?。通(tong)過使用(yong)28nm工(gong)(gong)(gong)藝(yi),芯(xin)片(pian)能(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)在(zai)(zai)更小(xiao)的(de)(de)(de)(de)面積內集成更多的(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)能(neng)(neng)(neng)(neng)單元,從(cong)而提(ti)供更高(gao)的(de)(de)(de)(de)處理速(su)度(du)和(he)更好(hao)的(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)能(neng)(neng)(neng)(neng)性。由(you)于晶體管(guan)間的(de)(de)(de)(de)距離縮短,電(dian)(dian)(dian)子(zi)在(zai)(zai)晶體管(guan)之(zhi)間移(yi)動(dong)的(de)(de)(de)(de)距離也相應減(jian)(jian)少,進一(yi)(yi)步提(ti)高(gao)了(le)(le)運算速(su)度(du)?。此外(wai),28nm工(gong)(gong)(gong)藝(yi)通(tong)過減(jian)(jian)小(xiao)晶體管(guan)尺(chi)寸(cun),有效減(jian)(jian)少了(le)(le)每次運算所需的(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)量(liang),不(bu)僅提(ti)高(gao)了(le)(le)芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)效,還大(da)幅延長了(le)(le)設(she)(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)池使用(yong)時間?。在(zai)(zai)具體技(ji)術細(xi)節方面,28nm工(gong)(gong)(gong)藝(yi)引入了(le)(le)High-K材料(liao)和(he)GateLast處理技(ji)術,這些(xie)技(ji)術改進有助于控(kong)制芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)發熱(re)和(he)功(gong)(gong)耗(hao)(hao)。High-K材料(liao)提(ti)升了(le)(le)柵氧層的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)容納能(neng)(neng)(neng)(neng)力,有效降低了(le)(le)體系的(de)(de)(de)(de)靜態和(he)動(dong)態功(gong)(gong)耗(hao)(hao),使得芯(xin)片(pian)在(zai)(zai)高(gao)性能(neng)(neng)(neng)(neng)計算和(he)移(yi)動(dong)設(she)(she)備(bei)中表現(xian)出色(se)。此外(wai),28nm工(gong)(gong)(gong)藝(yi)還引入了(le)(le)TSMC的(de)(de)(de)(de)28nmHKMG(高(gao)介電(dian)(dian)(dian)金屬柵極(ji))工(gong)(gong)(gong)藝(yi),進一(yi)(yi)步減(jian)(jian)小(xiao)了(le)(le)節點(dian)尺(chi)寸(cun)和(he)亞閥(fa)電(dian)(dian)(dian)壓(ya),提(ti)升了(le)(le)芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)可制造性并控(kong)制了(le)(le)發熱(re)和(he)功(gong)(gong)耗(hao)(hao)?。?應用(yong)領域(yu)?方面,28nmCMOS工(gong)(gong)(gong)藝(yi)廣泛應用(yong)于智能(neng)(neng)(neng)(neng)手(shou)機(ji)、平板電(dian)(dian)(dian)腦、個人電(dian)(dian)(dian)腦、服務器以及(ji)各類嵌入式(shi)系統等電(dian)(dian)(dian)子(zi)產品中。特(te)別(bie)是在(zai)(zai)對性能(neng)(neng)(neng)(neng)要(yao)(yao)(yao)求較高(gao)且對功(gong)(gong)耗(hao)(hao)有一(yi)(yi)定限(xian)制的(de)(de)(de)(de)領域(yu),如移(yi)動(dong)設(she)(she)備(bei)和(he)高(gao)性能(neng)(neng)(neng)(neng)計算領域(yu),28nmCMOS工(gong)(gong)(gong)藝(yi)發揮著(zhu)重要(yao)(yao)(yao)作(zuo)用(yong)?。江(jiang)蘇高(gao)集成度(du)北斗(dou)芯(xin)片(pian)

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