
2025-10-16 14:39:33
低ESL設(she)計是超寬帶電(dian)(dian)(dian)容(rong)技術的(de)(de)重(zhong)中之重(zhong)。結構(gou)創新包括采用(yong)多端電(dian)(dian)(dian)極設(she)計,如三端電(dian)(dian)(dian)容(rong)或(huo)帶翼電(dian)(dian)(dian)極電(dian)(dian)(dian)容(rong),將傳統(tong)(tong)的(de)(de)兩端子“進(jin)-出”電(dian)(dian)(dian)流路(lu)徑,改為“穿(chuan)心”式(shi)或(huo)更(geng)低回(hui)路(lu)的(de)(de)路(lu)徑,從而抵消(xiao)磁場、減(jian)小凈(jing)電(dian)(dian)(dian)感(gan)。內部電(dian)(dian)(dian)極采用(yong)交錯堆(dui)疊和優(you)化布局,盡(jin)可能縮短內部電(dian)(dian)(dian)流通(tong)路(lu)。在端電(dian)(dian)(dian)極方面,摒(bing)棄傳統(tong)(tong)的(de)(de) wire-bond 或(huo)長引(yin)線,采用(yong)先進(jin)的(de)(de)倒裝芯(xin)片(pian)(Flip-Chip)或(huo)landing pad技術,使電(dian)(dian)(dian)容(rong)能以短的(de)(de)路(lu)徑直接貼裝在PCB的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)源-地平面之間,比較大(da)限(xian)度地減(jian)少由封(feng)裝和安裝引(yin)入的(de)(de)額外電(dian)(dian)(dian)感(gan)。這些結構(gou)上(shang)的(de)(de)精妙設(she)計是達成皮亨利(pH)級(ji)別很低ESL的(de)(de)關(guan)鍵。車規級(ji)超寬帶電(dian)(dian)(dian)容(rong)必須通(tong)過AEC-Q200等可靠(kao)性認證。116RGA560K100TT

高速(su)(su)數(shu)字(zi)系統(tong)(tong)應用(yong)現代高速(su)(su)數(shu)字(zi)系統(tong)(tong)對(dui)電(dian)源(yuan)(yuan)完整性和信號完整性提出了極高要(yao)(yao)求。超寬(kuan)帶電(dian)容(rong)在處(chu)理(li)器、FPGA和ASIC的(de)電(dian)源(yuan)(yuan)去耦中至關重要(yao)(yao)。隨著(zhu)數(shu)字(zi)信號速(su)(su)率達到數(shu)十Gbps,電(dian)源(yuan)(yuan)噪(zao)聲成為限(xian)制系統(tong)(tong)性能的(de)主(zhu)要(yao)(yao)因素。超寬(kuan)帶電(dian)容(rong)通(tong)過提供低阻(zu)抗(kang)的(de)電(dian)源(yuan)(yuan)濾波,有效抑(yi)制高頻(pin)噪(zao)聲。采(cai)用(yong)陣列(lie)式布局(ju)的(de)超寬(kuan)帶電(dian)容(rong)模(mo)塊,能夠(gou)為芯片提供從(cong)直流到GHz頻(pin)段的(de)低阻(zu)抗(kang)路徑(jing),確保電(dian)源(yuan)(yuan)穩定(ding)性。在高速(su)(su)SerDes接口中,超寬(kuan)帶電(dian)容(rong)還用(yong)于AC耦合(he)和阻(zu)抗(kang)匹配,保證信號傳(chuan)輸質量。116TEA180J100TT直流偏壓會導致Class II介質電(dian)容(rong)的(de)實際容(rong)值下降。

未(wei)來,超寬帶(dai)電(dian)容(rong)技(ji)術(shu)將(jiang)繼續向更(geng)高(gao)頻率、更(geng)低損耗(hao)、更(geng)高(gao)集(ji)成度和(he)(he)更(geng)優可靠(kao)性(xing)發(fa)展(zhan)。新(xin)材料(liao)如低溫共燒陶瓷(LTCC)技(ji)術(shu)允許將(jiang)多個電(dian)容(rong)、電(dian)感、電(dian)阻甚至傳輸線共同集(ji)成在一(yi)個三維陶瓷模塊中,形(xing)成復雜的無源網絡或功能模塊(如濾波器、巴(ba)倫)。LTCC可以實現更(geng)精細(xi)的線路、更(geng)優的高(gao)頻性(xing)能和(he)(he)更(geng)好的熱穩定(ding)性(xing),非(fei)常適合系統級(ji)封裝(zhuang)(SiP)和(he)(he)毫米波應用。此外,對新(xin)型介(jie)電(dian)材料(liao)的探索(如具(ju)有更(geng)高(gao)介(jie)電(dian)常數且更(geng)穩定(ding)的材料(liao))也在持續進行,以期(qi)在未(wei)來實現更(geng)高(gao)容(rong)值密(mi)度和(he)(he)更(geng)寬工(gong)作頻段。
超寬帶電(dian)(dian)(dian)容是一種(zhong)專為在極(ji)其(qi)寬廣的(de)(de)頻(pin)(pin)(pin)率范圍內(通常從(cong)幾Hz的(de)(de)低頻(pin)(pin)(pin)一直(zhi)覆蓋到數(shu)GHz甚至數(shu)十GHz的(de)(de)高(gao)頻(pin)(pin)(pin))保持穩定、一致且優異性(xing)能(neng)(neng)而(er)設計(ji)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子元件。其(qi)重(zhong)心(xin)價(jia)值(zhi)在于解決現(xian)代(dai)復雜電(dian)(dian)(dian)子系統(tong)(tong)(tong),尤其(qi)是高(gao)頻(pin)(pin)(pin)和(he)(he)高(gao)速(su)系統(tong)(tong)(tong)中,傳統(tong)(tong)(tong)電(dian)(dian)(dian)容器(qi)因(yin)寄生參數(shu)(如ESL-等效(xiao)串聯電(dian)(dian)(dian)感和(he)(he)ESR-等效(xiao)串聯電(dian)(dian)(dian)阻)影響而(er)導致的(de)(de)頻(pin)(pin)(pin)域性(xing)能(neng)(neng)急劇退化問題。它通過創新的(de)(de)材料學(xue)、結構設計(ji)和(he)(he)封裝技術,比較大限(xian)度地壓制(zhi)寄生效(xiao)應(ying)(ying),確保從(cong)直(zhi)流到微波頻(pin)(pin)(pin)段的(de)(de)低阻抗特性(xing),為高(gao)速(su)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路、射頻(pin)(pin)(pin)模塊和(he)(he)微波設備提供(gong)跨(kua)越多個數(shu)量級(ji)頻(pin)(pin)(pin)段的(de)(de)純凈能(neng)(neng)量供(gong)應(ying)(ying)和(he)(he)高(gao)效(xiao)噪聲(sheng)抑制(zhi),是現(xian)代(dai)高(gao)性(xing)能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)子系統(tong)(tong)(tong)的(de)(de)基石。選擇(ze)時需仔細查(cha)閱其(qi)阻抗-頻(pin)(pin)(pin)率曲線圖和(he)(he)應(ying)(ying)用指(zhi)南。

超寬帶(dai)電容(rong)(rong)并非(fei)指單一(yi)類型的(de)(de)電容(rong)(rong)器(qi)(qi),而是一(yi)種設(she)(she)計理念和技(ji)術追求(qiu),旨(zhi)在讓單個(ge)電容(rong)(rong)器(qi)(qi)或電容(rong)(rong)網絡在極其寬廣(guang)的(de)(de)頻(pin)(pin)率范圍內(通常(chang)從幾Hz或幾十Hz的(de)(de)低(di)(di)頻(pin)(pin)一(yi)直(zhi)覆(fu)蓋到數(shu)(shu)(shu)GHz甚(shen)至數(shu)(shu)(shu)十GHz的(de)(de)高頻(pin)(pin))保(bao)持(chi)穩定、一(yi)致且優異的(de)(de)性能(neng)。其重心價值在于(yu)解決現(xian)代復雜電子(zi)系統,尤其是高頻(pin)(pin)和高速(su)系統中,傳(chuan)統電容(rong)(rong)器(qi)(qi)因寄(ji)生參數(shu)(shu)(shu)(如ESL-等效(xiao)(xiao)串聯電感和ESR-等效(xiao)(xiao)串聯電阻(zu))影響而導致的(de)(de)頻(pin)(pin)域性能(neng)急劇(ju)退化問題。它通過(guo)創(chuang)新的(de)(de)材料學、結構設(she)(she)計和封(feng)裝(zhuang)技(ji)術,比較大限度地壓(ya)制(zhi)寄(ji)生效(xiao)(xiao)應,確保(bao)從直(zhi)流到微波(bo)(bo)頻(pin)(pin)段的(de)(de)低(di)(di)阻(zu)抗(kang)特性,為高速(su)集(ji)成電路、射頻(pin)(pin)模塊(kuai)和微波(bo)(bo)設(she)(she)備(bei)提供跨越多個(ge)數(shu)(shu)(shu)量級頻(pin)(pin)段的(de)(de)純凈能(neng)量供應和高效(xiao)(xiao)噪(zao)聲抑制(zhi)。先進的(de)(de)端電極設(she)(she)計有助于(yu)降低(di)(di)封(feng)裝(zhuang)帶(dai)來(lai)的(de)(de)寄(ji)生參數(shu)(shu)(shu)。116TEA180J100TT
需(xu)關(guan)注其直流(liu)偏壓(ya)特(te)性,尤其在低電(dian)壓(ya)大(da)電(dian)流(liu)應用中(zhong)。116RGA560K100TT
多層(ceng)陶瓷(ci)芯片(MLCC)是實現(xian)超(chao)寬帶(dai)電(dian)容的(de)(de)主流技術路徑。為(wei)追求超(chao)寬帶(dai)性(xing)能,MLCC技術經歷(li)了明(ming)顯演進(jin)。首先,采(cai)用(yong)超(chao)細粒度(du)、高(gao)純度(du)的(de)(de)介電(dian)材料(liao)(如Class I類中的(de)(de)NPO/COG特性(xing)材料(liao)),這類材料(liao)的(de)(de)介電(dian)常數隨頻率和(he)溫度(du)的(de)(de)變(bian)化(hua)極(ji)小,保證了電(dian)容值的(de)(de)穩(wen)定性(xing)。其次,采(cai)用(yong)層(ceng)層(ceng)疊疊的(de)(de)精細內部電(dian)極(ji)結構(gou),并通過(guo)優化(hua)電(dian)極(ji)圖案(如交(jiao)錯式設計)和(he)采(cai)用(yong)低電(dian)感(gan)端(duan)電(dian)極(ji)結構(gou)(如三明(ming)治結構(gou)或帶(dai)翼電(dian)極(ji)),極(ji)大縮短了內部電(dian)流路徑,有效降低了ESL。,封裝尺寸(cun)不斷小型化(hua)(如0201, 01005甚至更(geng)(geng)(geng)小),不僅(jin)節(jie)省空(kong)間(jian),更(geng)(geng)(geng)關鍵的(de)(de)是因為(wei)更(geng)(geng)(geng)小的(de)(de)物(wu)理(li)尺寸(cun)意味著(zhu)更(geng)(geng)(geng)低的(de)(de)固(gu)有電(dian)感(gan),使其自諧振頻率得以推向更(geng)(geng)(geng)高(gao)的(de)(de)頻段,從而覆蓋更(geng)(geng)(geng)寬的(de)(de)頻譜。116RGA560K100TT
深圳(zhen)市(shi)英翰森(sen)科(ke)(ke)技有限公司(si)是(shi)一家(jia)有著先進(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)發展理念,先進(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)管理經驗(yan),在(zai)發展過程中不(bu)斷(duan)完(wan)善自(zi)己(ji),要求自(zi)己(ji),不(bu)斷(duan)創新,時(shi)刻準(zhun)備著迎接更(geng)(geng)多挑(tiao)戰的(de)(de)(de)活力(li)(li)公司(si),在(zai)廣(guang)東省(sheng)等地(di)區的(de)(de)(de)電(dian)子(zi)元器件中匯聚了大(da)量(liang)的(de)(de)(de)人(ren)脈以及(ji)客戶資源,在(zai)業界也收獲了很多良好(hao)(hao)的(de)(de)(de)評價(jia)(jia),這(zhe)些都源自(zi)于自(zi)身(shen)的(de)(de)(de)努(nu)力(li)(li)和大(da)家(jia)共同進(jin)(jin)(jin)步的(de)(de)(de)結(jie)果,這(zhe)些評價(jia)(jia)對我(wo)們而言是(shi)**好(hao)(hao)的(de)(de)(de)前進(jin)(jin)(jin)動力(li)(li),也促(cu)使我(wo)們在(zai)以后(hou)的(de)(de)(de)道路(lu)上保持奮(fen)發圖強、一往無前的(de)(de)(de)進(jin)(jin)(jin)取(qu)創新精(jing)神,努(nu)力(li)(li)把公司(si)發展戰略推向一個新高度,在(zai)全(quan)體員(yuan)工共同努(nu)力(li)(li)之下,全(quan)力(li)(li)拼(pin)搏將(jiang)共同深圳(zhen)市(shi)英翰森(sen)科(ke)(ke)技供(gong)應和您一起(qi)攜手走向更(geng)(geng)好(hao)(hao)的(de)(de)(de)未來(lai),創造(zao)更(geng)(geng)有價(jia)(jia)值的(de)(de)(de)產(chan)品,我(wo)們將(jiang)以更(geng)(geng)好(hao)(hao)的(de)(de)(de)狀態(tai),更(geng)(geng)認真的(de)(de)(de)態(tai)度,更(geng)(geng)飽(bao)滿的(de)(de)(de)精(jing)力(li)(li)去創造(zao),去拼(pin)搏,去努(nu)力(li)(li),讓我(wo)們一起(qi)更(geng)(geng)好(hao)(hao)更(geng)(geng)快的(de)(de)(de)成長!