封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸（如01005， 0201， 0402封裝）意味著更短的內部電流路徑和更小的電流回路面積，從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率（SRF）可以輕松達到GHz以上，非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦。然而，小型化也帶來了挑戰：更小的尺寸對制造精度、材料均勻性和貼裝工藝提出了更高要求；同時，容值通常較小。因此，在PCB設計中，通常采用“大小搭配”的策略，將超小封裝的電容盡可能靠近芯片的電源引腳放置，以應對比較高頻的噪聲，而稍大封裝的電容則負責稍低的頻段，共同構建一個從低頻到超高頻的全譜系退耦網絡。
與傳統電(dian)解(jie)電(dian)容相比，其(qi)在高(gao)頻下(xia)的阻(zu)抗特性優勢明顯。111XDB120K100TT

高(gao)(gao)性能(neng)(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)測(ce)試(shi)與(yu)測(ce)量設(she)備(bei)(bei)（如(ru)高(gao)(gao)級示波器(qi)、頻(pin)(pin)譜分(fen)析儀、網絡分(fen)析儀）本身就(jiu)是對信號(hao)保真度(du)要(yao)求比較高(gao)(gao)的(de)(de)(de)電(dian)子(zi)系統。它(ta)們的(de)(de)(de)模擬前端、采樣(yang)電(dian)路(lu)、時(shi)鐘系統和(he)數據處(chu)理單元必須(xu)具有極低的(de)(de)(de)噪聲和(he)失真。超(chao)寬(kuan)帶(dai)電(dian)容在這(zhe)些設(she)備(bei)(bei)中無(wu)處(chu)不在，用(yong)于(yu)穩定電(dian)源、過濾噪聲、耦合(he)信號(hao)以及構建(jian)內(nei)部高(gao)(gao)頻(pin)(pin)電(dian)路(lu)。它(ta)們的(de)(de)(de)性能(neng)(neng)(neng)(neng)直接影(ying)響(xiang)到設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)(de)基線噪聲、動態范圍(wei)、測(ce)量精度(du)和(he)帶(dai)寬(kuan)指標。可(ke)以說，沒有高(gao)(gao)性能(neng)(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)超(chao)寬(kuan)帶(dai)電(dian)容，就(jiu)無(wu)法制造出能(neng)(neng)(neng)(neng)夠精確測(ce)量GHz信號(hao)的(de)(de)(de)前列測(ce)試(shi)設(she)備(bei)(bei)。這(zhe)些設(she)備(bei)(bei)反過來又(you)用(yong)于(yu)表征(zheng)和(he)驗(yan)證其他超(chao)寬(kuan)帶(dai)電(dian)容的(de)(de)(de)性能(neng)(neng)(neng)(neng)，形(xing)成了技術發(fa)展的(de)(de)(de)正向(xiang)循環。111XDB120K100TT它(ta)有助于(yu)減(jian)少對外(wai)部濾波元件的(de)(de)(de)依賴(lai)，節省PCB空(kong)間。

航空航天(tian)與電(dian)(dian)子系統對超(chao)(chao)寬(kuan)帶(dai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)提出了極端可靠(kao)性(xing)和(he)苛刻(ke)環(huan)境(jing)適應(ying)性(xing)的要(yao)求。這些系統工作環(huan)境(jing)惡(e)劣，包括巨大的溫(wen)度變化（-55℃至+125℃甚至更(geng)寬(kuan)）、度振(zhen)動、沖擊以(yi)及(ji)宇宙(zhou)射線輻(fu)射。電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器必(bi)須采用高可靠(kao)性(xing)設計、特種介質材料和(he)堅固封裝，確保性(xing)能在壽命期內絕不漂(piao)移或失效。同時，許多(duo)應(ying)用（如電(dian)(dian)子戰（EW）、雷達、衛(wei)星通信(xin)）需(xu)要(yao)處理極寬(kuan)頻帶(dai)的信(xin)號，要(yao)求電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)具備從基帶(dai)到(dao)毫米波的超(chao)(chao)寬(kuan)帶(dai)性(xing)能。此類電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)通常需(xu)遵循MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等(deng)標(biao)準， undergo rigorous screening and qualification tests.

設計完(wan)成后(hou)，必(bi)須對(dui)實(shi)際的(de)(de)(de)PCB進行(xing)測(ce)量(liang)驗證(zheng)。矢量(liang)網絡(luo)(luo)分析儀（VNA）是(shi)測(ce)量(liang)電(dian)(dian)容(rong)(rong)器及其(qi)網絡(luo)(luo)阻(zu)抗(kang)特(te)性(xing)的(de)(de)(de)關鍵(jian)工(gong)具(ju)。通過單端口測(ce)量(liang)，可以獲取電(dian)(dian)容(rong)(rong)器的(de)(de)(de)S11參(can)數(shu)，并將其(qi)轉(zhuan)換為(wei)阻(zu)抗(kang)隨頻(pin)率(lv)(lv)變(bian)化的(de)(de)(de)曲線（Zvs.f），從而直觀地看(kan)到其(qi)自(zi)諧振(zhen)頻(pin)率(lv)(lv)、小阻(zu)抗(kang)點以及在高(gao)頻(pin)下的(de)(de)(de)表(biao)現。對(dui)于在板PDN阻(zu)抗(kang)的(de)(de)(de)測(ce)量(liang)，則通常(chang)使用雙端口方法。這些(xie)實(shi)測(ce)數(shu)據(ju)用于與仿真結果進行(xing)對(dui)比，驗證(zheng)設計的(de)(de)(de)正確(que)性(xing)，并診(zhen)斷任(ren)何由制造或(huo)安裝引入的(de)(de)(de)異常(chang)。而已普(pu)及到高(gao)級(ji)消(xiao)費電(dian)(dian)子產(chan)品中(zhong)。高(gao)級(ji)智能(neng)手機的(de)(de)(de)5G/4G射頻(pin)前(qian)端模塊（FEM）、應用處(chu)理(li)器（AP）和(he)內存的(de)(de)(de)電(dian)(dian)源管理(li)，都極度依賴大量(liang)的(de)(de)(de)超小型超寬帶(dai)MLCC。手機的(de)(de)(de)有限(xian)空間和(he)極高(gao)的(de)(de)(de)工(gong)作頻(pin)率(lv)(lv)，要求電(dian)(dian)容(rong)(rong)必(bi)須兼具(ju)微(wei)小尺寸（01005是(shi)主流）和(he)很(hen)好的(de)(de)(de)高(gao)頻(pin)性(xing)能(neng)。它們的(de)(de)(de)數(shu)量(liang)可能(neng)高(gao)達數(shu)百(bai)甚至上千顆(ke)，是(shi)確(que)保手機信(xin)號(hao)強度、數(shu)據(ju)處(chu)理(li)速度和(he)電(dian)(dian)池續航(hang)能(neng)力的(de)(de)(de)關鍵(jian)微(wei)小組(zu)件。在光模塊中(zhong)用于高(gao)速驅(qu)動電(dian)(dian)路的(de)(de)(de)電(dian)(dian)源濾波和(he)信(xin)號(hao)耦合。

單一電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器無法(fa)在超寬頻(pin)(pin)(pin)帶(dai)內始終保(bao)持低(di)阻抗(kang)。因此(ci)，在實(shi)際電(dian)(dian)路(lu)中(zhong)，需要(yao)構建一個由多(duo)個不(bu)同(tong)容(rong)(rong)(rong)值(zhi)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器組(zu)成(cheng)的(de)退耦網絡(luo)(luo)。小容(rong)(rong)(rong)量電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)（如(ru)0.1μF， 0.01μF， 1000pF， 100pF）擁有較高的(de)自諧振頻(pin)(pin)(pin)率，負(fu)責濾除(chu)中(zhong)高頻(pin)(pin)(pin)噪聲；而(er)大容(rong)(rong)(rong)量電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)（如(ru)10μF， 47μF）或(huo)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)負(fu)責濾除(chu)低(di)頻(pin)(pin)(pin)紋(wen)波和提供電(dian)(dian)荷儲(chu)備。這些電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)并聯后，它(ta)們(men)的(de)阻抗(kang)曲線相互疊加，從而(er)在從低(di)頻(pin)(pin)(pin)到極高頻(pin)(pin)(pin)的(de)整(zheng)個范圍內形成(cheng)一條平(ping)坦的(de)低(di)阻抗(kang)路(lu)徑。PCB上的(de)電(dian)(dian)源(yuan)分配(pei)網絡(luo)(luo)（PDN）設計就是基于此(ci)原理(li)，通過精心選(xuan)擇不(bu)同(tong)容(rong)(rong)(rong)值(zhi)、不(bu)同(tong)封裝的(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)并合理(li)布局(ju)，來實(shi)現超寬帶(dai)的(de)低(di)阻抗(kang)目標。用于精密(mi)測試(shi)設備，確保(bao)測量信號(hao)的(de)真實(shi)性與準確性。118JBB1R9D100TT

選擇時(shi)需(xu)仔細查閱其阻抗-頻率曲線圖(tu)和應用指南(nan)。111XDB120K100TT

超寬帶(dai)電(dian)(dian)(dian)容(rong)除(chu)了用(yong)于退(tui)耦，還(huan)與(yu)電(dian)(dian)(dian)感(gan)組合，構(gou)成LC濾(lv)(lv)波(bo)器，用(yong)于信(xin)號線的(de)(de)(de)(de)噪聲濾(lv)(lv)除(chu)。通過精(jing)心選擇電(dian)(dian)(dian)容(rong)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)感(gan)的(de)(de)(de)(de) values，可(ke)以設計出帶(dai)通、帶(dai)阻(zu)或低(di)通特性(xing)的(de)(de)(de)(de)濾(lv)(lv)波(bo)器，覆蓋非常(chang)寬的(de)(de)(de)(de)頻帶(dai)。例如(ru)(ru)，在高速數字接口（如(ru)(ru)PCIe）中(zhong)，常(chang)使用(yong)LC濾(lv)(lv)波(bo)器來(lai)抑制EMI。在此(ci)類應用(yong)中(zhong)，要(yao)求電(dian)(dian)(dian)容(rong)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)感(gan)自(zi)身都具(ju)有(you)低(di)損耗和(he)(he)(he)高SRF，以確保濾(lv)(lv)波(bo)器在目標(biao)頻段內(nei)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能符合預期，避免因(yin)元件(jian)自(zi)身的(de)(de)(de)(de)寄生參數導致性(xing)能惡化。光(guang)模塊（如(ru)(ru)400G， 800G OSFP）將(jiang)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號轉(zhuan)換為光(guang)信(xin)號進行(xing)傳輸，其內(nei)部的(de)(de)(de)(de)激光(guang)驅動器（LDD）、跨阻(zu)放(fang)大(da)器（TIA）和(he)(he)(he)時(shi)鐘數據恢(hui)復(fu)（CDR）電(dian)(dian)(dian)路都是高速模擬電(dian)(dian)(dian)路，對電(dian)(dian)(dian)源噪聲非常(chang)敏感(gan)。超寬帶(dai)電(dian)(dian)(dian)容(rong)為這些(xie)電(dian)(dian)(dian)路提(ti)供本地去耦，確保信(xin)號的(de)(de)(de)(de)純(chun)凈度，從而(er)降低(di)誤碼率（BER）。同時(shi)，在光(guang)電(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)換的(de)(de)(de)(de)接口處，也需要(yao)超寬帶(dai)電(dian)(dian)(dian)容(rong)進行(xing)隔直和(he)(he)(he)匹配。其性(xing)能直接影(ying)響到光(guang)模塊的(de)(de)(de)(de)傳輸距離、功耗和(he)(he)(he)可(ke)靠性(xing)。111XDB120K100TT

深圳市(shi)(shi)英翰森科(ke)技(ji)有(you)限公司在(zai)同(tong)(tong)行業(ye)領域中，一(yi)(yi)(yi)直(zhi)處(chu)在(zai)一(yi)(yi)(yi)個不(bu)斷銳意(yi)進(jin)(jin)取，不(bu)斷制造創(chuang)新(xin)(xin)(xin)的(de)市(shi)(shi)場高度，多年(nian)以來(lai)致力于(yu)發展富有(you)創(chuang)新(xin)(xin)(xin)價(jia)值(zhi)理(li)念的(de)產品標準，在(zai)廣東省等地區的(de)電子元(yuan)器件中始終保持良好的(de)商業(ye)**，成績讓我(wo)們(men)(men)(men)喜悅(yue)，但不(bu)會讓我(wo)們(men)(men)(men)止步，殘酷的(de)市(shi)(shi)場磨煉了我(wo)們(men)(men)(men)堅強不(bu)屈的(de)意(yi)志，和諧(xie)溫馨的(de)工(gong)作環境，富有(you)營(ying)養的(de)公司土壤滋養著(zhu)我(wo)們(men)(men)(men)不(bu)斷開拓(tuo)創(chuang)新(xin)(xin)(xin)，勇(yong)于(yu)進(jin)(jin)取的(de)無限潛力，深圳市(shi)(shi)英翰森科(ke)技(ji)供應(ying)攜手大家(jia)一(yi)(yi)(yi)起走(zou)向(xiang)共(gong)(gong)同(tong)(tong)輝煌的(de)未來(lai)，回首過去，我(wo)們(men)(men)(men)不(bu)會因(yin)為(wei)取得了一(yi)(yi)(yi)點(dian)點(dian)成績而沾(zhan)沾(zhan)自喜，相反(fan)的(de)是面對競爭越(yue)來(lai)越(yue)激烈(lie)的(de)市(shi)(shi)場氛(fen)圍，我(wo)們(men)(men)(men)更要明確自己的(de)不(bu)足，做好迎接新(xin)(xin)(xin)挑戰的(de)準備，要不(bu)畏困難，激流勇(yong)進(jin)(jin)，以一(yi)(yi)(yi)個更嶄新(xin)(xin)(xin)的(de)精神面貌迎接大家(jia)，共(gong)(gong)同(tong)(tong)走(zou)向(xiang)輝煌回來(lai)！