航空航天與電子系統對超寬帶(dai)(dai)電容(rong)提出(chu)了極端(duan)可靠性和(he)苛刻(ke)環境(jing)(jing)適(shi)應(ying)性的(de)(de)(de)要(yao)(yao)(yao)求。這些系統工(gong)作環境(jing)(jing)惡(e)劣，包(bao)括巨大的(de)(de)(de)溫度(du)(du)變(bian)化（-55℃至+125℃甚(shen)至更寬）、度(du)(du)振(zhen)動、沖擊以及宇宙射線輻射。電容(rong)器必須采(cai)用高可靠性設(she)計(ji)、特種介(jie)質材料和(he)堅(jian)固封裝，確保性能(neng)在壽命期(qi)內絕不漂移或失效(xiao)。同(tong)時，許多應(ying)用（如電子戰(zhan)（EW）、雷達、衛星通信）需要(yao)(yao)(yao)處(chu)理極寬頻帶(dai)(dai)的(de)(de)(de)信號，要(yao)(yao)(yao)求電容(rong)具備(bei)從(cong)基帶(dai)(dai)到(dao)毫米波的(de)(de)(de)超寬帶(dai)(dai)性能(neng)。此類(lei)電容(rong)通常需遵循(xun)MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標(biao)準，經過嚴格的(de)(de)(de)篩選(xuan)和(he)資格認(ren)證測(ce)試，以確保在關鍵(jian)的(de)(de)(de)任務中萬無一失。協同(tong)仿真工(gong)具可預測(ce)其在具體電路中的(de)(de)(de)真實(shi)性能(neng)。111XDB220M100TT

超(chao)寬(kuan)帶電(dian)容(rong)(rong)，盡管多是固(gu)態的(de)(de)MLCC，仍需經(jing)過嚴格的(de)(de)可靠性(xing)(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)以(yi)確(que)保其(qi)長期穩定(ding)性(xing)(xing)。關鍵測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)包括：高(gao)(gao)溫高(gao)(gao)濕負(fu)荷測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)（HAST）、溫度循環測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)（TCT）、高(gao)(gao)溫壽(shou)命測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)（HTOL）、機(ji)械沖擊和(he)(he)振動測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)等(deng)。失效(xiao)模式包括陶瓷介(jie)質開裂(lie)（機(ji)械應力導致）、電(dian)極(ji)遷(qian)移（高(gao)(gao)溫高(gao)(gao)濕下）、性(xing)(xing)能退化等(deng)。通過加速壽(shou)命測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)數據(ju)，可以(yi)建立模型來預測(ce)(ce)(ce)(ce)電(dian)容(rong)(rong)在正常工作條件下的(de)(de)壽(shou)命和(he)(he)失效(xiao)率（FIT）。高(gao)(gao)可靠性(xing)(xing)的(de)(de)超(chao)寬(kuan)帶電(dian)容(rong)(rong)是通信基(ji)礎設施、汽車和(he)(he)航空航天(tian)等(deng)領(ling)域應用的(de)(de)基(ji)石，其(qi)可靠性(xing)(xing)是系統級可靠性(xing)(xing)的(de)(de)前提。111XDB220M100TT用于精(jing)密測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)設備，確(que)保測(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)信號的(de)(de)真實性(xing)(xing)與準確(que)性(xing)(xing)。

低(di)ESL設計(ji)是超寬(kuan)帶(dai)電(dian)容技術的(de)(de)(de)(de)重中之(zhi)(zhi)重。結構創新(xin)包括采用(yong)多端(duan)電(dian)極(ji)(ji)(ji)設計(ji)，如三端(duan)電(dian)容或(huo)帶(dai)翼電(dian)極(ji)(ji)(ji)電(dian)容，將傳(chuan)統的(de)(de)(de)(de)兩(liang)端(duan)子“進-出”電(dian)流路(lu)徑(jing)，改為“穿心”式或(huo)更低(di)回路(lu)的(de)(de)(de)(de)路(lu)徑(jing)，從而抵消磁(ci)場、減小凈電(dian)感(gan)(gan)。內部(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)采用(yong)交錯堆疊和優化(hua)布(bu)局，盡(jin)可能(neng)縮(suo)短內部(bu)電(dian)流通(tong)路(lu)。在端(duan)電(dian)極(ji)(ji)(ji)方(fang)面(mian)，摒(bing)棄傳(chuan)統的(de)(de)(de)(de) wire-bond 或(huo)長引(yin)(yin)線(xian)，采用(yong)先進的(de)(de)(de)(de)倒裝(zhuang)(zhuang)芯片（Flip-Chip）或(huo)landing pad技術，使電(dian)容能(neng)以短的(de)(de)(de)(de)路(lu)徑(jing)直接(jie)貼裝(zhuang)(zhuang)在PCB的(de)(de)(de)(de)電(dian)源-地平面(mian)之(zhi)(zhi)間，比(bi)較大限度地減少由封(feng)裝(zhuang)(zhuang)和安裝(zhuang)(zhuang)引(yin)(yin)入的(de)(de)(de)(de)額(e)外電(dian)感(gan)(gan)。這些結構上的(de)(de)(de)(de)精妙設計(ji)是達成皮亨(heng)利（pH）級別很低(di)ESL的(de)(de)(de)(de)關鍵，是實現(xian)超寬(kuan)帶(dai)性能(neng)的(de)(de)(de)(de)物(wu)理基礎。

在(zai)現代(dai)高(gao)(gao)速(su)數字集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)（如(ru)CPU， GPU， FPGA）中(zhong)，時(shi)鐘頻(pin)率(lv)高(gao)(gao)達數GHz，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流切換速(su)率(lv)極快（納秒甚至(zhi)皮秒級），會產生極其豐富(fu)的(de)(de)(de)高(gao)(gao)次諧(xie)波噪(zao)(zao)聲(sheng)。同(tong)時(shi)，芯片內(nei)核電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)不斷(duan)降低(di)（<1V），而對噪(zao)(zao)聲(sheng)的(de)(de)(de)容限(xian)也(ye)隨之變(bian)小(xiao)。這意味著電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源軌上任何微小(xiao)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)波動（電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源噪(zao)(zao)聲(sheng)）都可能(neng)導致邏輯錯誤或(huo)時(shi)序混亂。超(chao)寬帶退(tui)耦電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容網(wang)絡在(zai)此(ci)扮演了“本地(di)水庫(ku)”和“噪(zao)(zao)聲(sheng)過(guo)濾器”的(de)(de)(de)雙重(zhong)角(jiao)色：它(ta)們就近為晶體管開(kai)關提(ti)供瞬態大(da)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流，減少電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流回(hui)路(lu)面積(ji)；同(tong)時(shi)將(jiang)產生的(de)(de)(de)高(gao)(gao)頻(pin)噪(zao)(zao)聲(sheng)短路(lu)到地(di)，確(que)保供給芯片的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)無比純凈和穩(wen)(wen)定，是保障系(xi)統(tong)高(gao)(gao)速(su)、可靠運行的(de)(de)(de)生命線，其性能(neng)直接決定了處理器的(de)(de)(de)比較(jiao)大(da)穩(wen)(wen)定頻(pin)率(lv)和系(xi)統(tong)的(de)(de)(de)整體穩(wen)(wen)定性。在(zai)高(gao)(gao)速(su)內(nei)存（如(ru)DDR5）系(xi)統(tong)中(zhong)保障數據傳輸穩(wen)(wen)定性。

在(zai)現代高(gao)(gao)(gao)速(su)數字集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路（如(ru)CPU， GPU， FPGA）中，時鐘頻率高(gao)(gao)(gao)達數GHz，電(dian)(dian)(dian)(dian)流切換速(su)率極快（納(na)秒甚至皮秒級），會產生(sheng)極其豐富的(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)次諧波噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)。同(tong)時，芯(xin)片(pian)內核電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)不(bu)斷降低（<1V），而(er)對噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)容限也隨(sui)之變小。這(zhe)意(yi)味(wei)著電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)軌上任何(he)微小的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)波動(dong)（電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)）都(dou)可(ke)能導(dao)致邏輯錯誤或時序混亂。超(chao)寬帶(dai)退(tui)耦電(dian)(dian)(dian)(dian)容網絡在(zai)此扮演(yan)了“本地水庫”和(he)“噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)過(guo)濾(lv)器(qi)”的(de)(de)(de)雙(shuang)重角色：它們就(jiu)近(jin)為晶(jing)體管開關提供(gong)瞬態大(da)電(dian)(dian)(dian)(dian)流，減少電(dian)(dian)(dian)(dian)流回路面(mian)積；同(tong)時將產生(sheng)的(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)頻噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)短路到(dao)地，確保(bao)供(gong)給(gei)芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)無(wu)比純凈和(he)穩定，是保(bao)障系統高(gao)(gao)(gao)速(su)、可(ke)靠運行的(de)(de)(de)生(sheng)命線。先進的(de)(de)(de)薄膜工藝可(ke)制造出(chu)性能很好(hao)的(de)(de)(de)超(chao)寬帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)容。116REA7R5K100TT

超(chao)寬(kuan)帶電容指在極寬(kuan)頻率范圍(wei)內保持性能穩定的電容器。111XDB220M100TT

超寬(kuan)帶電(dian)(dian)(dian)容(rong)是一種設計(ji)理念(nian)和技術(shu)追求，旨在讓單個(ge)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器或電(dian)(dian)(dian)容(rong)網絡在極其寬(kuan)廣的(de)(de)頻率范圍(wei)內（通(tong)(tong)常從幾Hz的(de)(de)低頻一直(zhi)覆蓋到(dao)數(shu)(shu)GHz甚(shen)至數(shu)(shu)十GHz的(de)(de)高頻）保持(chi)穩定(ding)、一致且優異的(de)(de)性能(neng)。其重心價值在于解決現代復雜電(dian)(dian)(dian)子系統(tong)(tong)，尤其是高頻和高速系統(tong)(tong)中，傳統(tong)(tong)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器因寄(ji)生參數(shu)(shu)（如ESL-等效(xiao)(xiao)串(chuan)聯電(dian)(dian)(dian)感和ESR-等效(xiao)(xiao)串(chuan)聯電(dian)(dian)(dian)阻(zu)）影響而(er)導(dao)致的(de)(de)頻域性能(neng)急劇退(tui)化問題。它(ta)通(tong)(tong)過創新的(de)(de)材料學、結構設計(ji)和封裝技術(shu)，比(bi)較大限(xian)度地壓制寄(ji)生效(xiao)(xiao)應(ying)，確保從直(zhi)流到(dao)微波(bo)頻段的(de)(de)低阻(zu)抗特(te)性，為高速集成電(dian)(dian)(dian)路、射(she)頻模塊和微波(bo)設備提供跨(kua)越多個(ge)數(shu)(shu)量級頻段的(de)(de)純(chun)凈能(neng)量供應(ying)和高效(xiao)(xiao)噪聲抑制，是現代電(dian)(dian)(dian)子系統(tong)(tong)性能(neng)突破的(de)(de)關鍵基(ji)礎元(yuan)件。111XDB220M100TT

深(shen)圳市英(ying)翰森科(ke)技有限公(gong)司(si)是(shi)一(yi)家有著先(xian)進的(de)(de)(de)發展理(li)念，先(xian)進的(de)(de)(de)管理(li)經驗，在發展過程中不(bu)斷完善自(zi)(zi)己，要求自(zi)(zi)己，不(bu)斷創(chuang)新，時(shi)刻(ke)準備著迎接(jie)更(geng)多(duo)挑戰(zhan)的(de)(de)(de)活力公(gong)司(si)，在廣東省(sheng)等地區的(de)(de)(de)電子元器(qi)件中匯聚了大(da)量的(de)(de)(de)人脈以(yi)(yi)及客(ke)戶資源，在業界也(ye)收獲(huo)了很多(duo)良好(hao)(hao)的(de)(de)(de)評價(jia)(jia)，這些都源自(zi)(zi)于自(zi)(zi)身的(de)(de)(de)努(nu)力和大(da)家共(gong)同(tong)進步的(de)(de)(de)結果，這些評價(jia)(jia)對(dui)我們(men)(men)而言是(shi)**好(hao)(hao)的(de)(de)(de)前進動力，也(ye)促使我們(men)(men)在以(yi)(yi)后的(de)(de)(de)道路上保持奮發圖強、一(yi)往無前的(de)(de)(de)進取(qu)創(chuang)新精神，努(nu)力把(ba)公(gong)司(si)發展戰(zhan)略推(tui)向一(yi)個新高(gao)度(du)，在全體員工共(gong)同(tong)努(nu)力之下，全力拼搏將(jiang)共(gong)同(tong)深(shen)圳市英(ying)翰森科(ke)技供應和您一(yi)起(qi)(qi)攜手(shou)走向更(geng)好(hao)(hao)的(de)(de)(de)未(wei)來，創(chuang)造更(geng)有價(jia)(jia)值的(de)(de)(de)產品(pin)，我們(men)(men)將(jiang)以(yi)(yi)更(geng)好(hao)(hao)的(de)(de)(de)狀(zhuang)態，更(geng)認真的(de)(de)(de)態度(du)，更(geng)飽滿的(de)(de)(de)精力去創(chuang)造，去拼搏，去努(nu)力，讓我們(men)(men)一(yi)起(qi)(qi)更(geng)好(hao)(hao)更(geng)快(kuai)的(de)(de)(de)成(cheng)長！