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在今天9月19日的“Intel精尖制造大會”上，英特爾正式公布10納米工藝制程，這無異于一個重磅炸彈。目前全球性能最高的是14納米晶體管，業內大多數使用的還算是14/16/20納米制程，10納米工藝可以幫助英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。

同時，英特爾公司執行副總裁，制造、運營與銷售集團總裁Stacy J·Smith展出了10nm技術的硅晶圓，這是未來 Cannon Lake CPU 最基礎的部分，并將在今年年底前正式投產。這也意味著“牙膏廠”這次終于不擠牙膏，而要拿出真本事了。

盡管(guan)英(ying)特爾和(he)主(zhu)要(yao)(yao)競(jing)爭對手都已(yi)經進(jin)入(ru)到了10nm工藝制程(cheng)領域(yu)，英(ying)特爾看似比(bi)臺積(ji)電和(he)三星要(yao)(yao)發(fa)布的(de)晚一點，但在活動當(dang)日英(ying)特爾展示的(de)數據對比(bi)看，起邏(luo)輯(ji)晶體(ti)管(guan)密度遠高于競(jing)爭對手，甚至是(shi)他們(men)的(de)兩倍左右，因此(ci)同(tong)樣是(shi)10nm工藝制程(cheng)英(ying)特爾處(chu)理器理論上(shang)可以容納(na)更多的(de)晶體(ti)管(guan)，因此(ci)性能就有(you)一定優勢。